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「新製品情報誌」2022年10月号掲載
資料請求No.1221001903

電子機器・部品
電子部品

基板面積の大幅な省スペース化が可能

過電圧保護用双方向スイッチ

イノサイエンステクノロジー
大阪府高槻市上牧南駅前町2-8

　「BiGaN：INN040W048A」は、40V/4.8mΩ対応の双方向スイッチGaNトランジスタ。従来Siの2直構成を1素子で置換え可能で基板面積を50％以上省スペース化。電力伝送路の入力切替や過電圧保護回路のロードスイッチに最適。

過電圧保護用双方向スイッチ
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電子部品
基板面積の大幅な省スペース化が可能
過電圧保護用双方向スイッチ
イノサイエンステクノロジー（大阪府高槻市上牧南駅前町2-8）

「新製品情報誌」2022年7月号掲載

配電制御機器
従来電源の1/5の小型化を実現
窒化ガリウム（GaN）電源
イノサイエンステクノロジー（大阪府高槻市上牧南駅前町2-8）
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